因應物聯網 (IoT) 和雲端運算所需的新記憶體技術，半導體設備龍頭應用材料推出創新、用於大量製造的解決方案，以原子級的精準度，進行新式材料的沉積，期盼讓新型記憶體 MRAM、ReRAM 與 PCRAM 能夠以工業級的規模穩定生產。 

應材表示，電腦產業正在建構物聯網，其中將會有數百億個裝置內建感測器、運算與通訊功能，用來監控環境、作決策和傳送重要資訊到雲端資料中心。

MRAM (磁性隨機存取記憶體) 採用硬碟機中常見的精緻磁性材料。MRAM 快速且非揮發性，就算在失去電力的情況下，也能保存軟體和資料。由於速度快與元件容忍度高，MRAM 最終可能做為第 3 級快取記憶體中 SRAM 的替代產品。MRAM 可以整合於物聯網晶片設計的後端互連層，進而實現更小的晶粒尺寸，並降低成本。

應材表示，今日推出的新 Endura Clover MRAM 物理氣相沉積 (PVD) 平台，是由 9 個獨特的晶圓處理反應室組成，全都是在純淨、高真空的情況下完成整合。這是業界第一個大量生產用的 300 mm MRAM 系統，每個反應室可個別沉積最多 5 種不同的材料。

MRAM 記憶體需經過至少 30 種不同材料層的精密沉積製程，其中某些材料層可能比人類的頭髮還細微 50 萬倍。製程中即使是厚薄度只有原子直徑一丁點的差異，就會對裝置的效能與可靠性造成極大的影響。

應材資深副總暨半導體產品事業群總經理帕布．若傑（Prabu Raja）表示，新 Endura 平台是應材所創造過最精密的晶片製造系統，應材廣泛的產品組合，為我們公司提供獨特的能力，以整合多項的材料工程技術與內建量測技術，打造出至今才有辦法實現的新型薄膜與結構。

隨著資料量遽增，雲端資料中心也需要針對連結伺服器和儲存系統的資料路徑，達成這些路徑在速度與耗電量方面的數量級效能提升。ReRAM (電阻式隨機存取記憶體) 與 PCRAM (相變隨機存取記憶體) 是快速、非揮發性、低功率的高密度記憶體，可以做為「儲存級記憶體」，以填補伺服器 DRAM 與儲存記憶體之間，不斷擴大的價格與性能落差。

應材指出，ReRAM 採用新材料製成，材料的作用類似於保險絲，可在數十億個儲存單元內選擇性地形成燈絲，以表示資料。對照之下，PCRAM 則採用 DVD 光碟片中可找到的相變材料，並藉由將材料的狀態從非晶態變成晶態，以進行位元的編程。

類似於 3D NAND 記憶體，ReRAM 和 PCRAM 是以 3D 結構排列，而記憶體製造商可以在每一代的產品中加入更多層，以穩健地降低儲存成本。ReRAM 與 PCRAM 也提供編程與電阻率中間階段的可能性，讓每個儲存單元可以儲存多個位元的資料。

相較於 DRAM，ReRAM 與 PCRAM 皆承諾未來可大幅降低成本，而且讀取效能也比 NAND 和硬碟機快上許多。ReRAM 能將運算元件整合於記憶體陣列中，以協助克服 AI 運算相關的資料移動瓶頸。