旺宏4篇論文入選 IEDM 先驅技術3D NAND奪亮點論文

微電子元件界年度最重要會議國際電子元件大會 IEDM 將在 12/2-6 舉行，每年約有 10 個次領域 200 篇論文發表，在記憶體技術次領域今年僅 25 篇入選，台灣產學研界合計 17 篇獲選，旺宏 (2337-TW) 入選 4 篇，其中探討 3D NAND 創新結構的論文更獲選為亮點論文 (Highlight Paper) ，是今年台灣產學研界唯一獲選的亮點論文。

旺宏指出，IEDM 平均每年約有來自全球 600 篇論文投稿，最後經過極嚴謹的程序再評選出 10 個次領域約 200 篇在會中發表；在記憶體技術次領域，今年僅 25 篇入選，今年台灣產學研界獲選的論文總計有 17 篇 (以第一作者統計)，包括產業 11 篇，及學研界 6 篇。 

旺宏表示，今年共有 4 篇論文入選，在這個領域的成果表現，領先各國際級記憶體大廠；旺宏進一步說明，獲選為 IEDM 亮點論文的研究成果，主要是揭露一個嶄新的 3D NAND 記憶晶胞架構，旺宏獨立研發的平坦垂直渠道型電晶體結構 (Single-Gate Vertical Channel, SGVC)，相較其他大廠現有技術，以相同的堆疊層數卻可達到 2-3 倍的記憶體密度。

旺宏說，根據論文研究成果顯示，旺宏的 SGVC 只要堆疊 16 層，其記憶體密度就可達到現行閘極環繞型結構 (Gate All Around, GAA) 所堆疊的 48 八層效果。

旺宏指出，因記憶晶胞為平坦垂直渠道型電晶體結構，可大幅減少幾何效應對於整體電性的敏感度，適合需要頻繁讀取資料的各式應用，低層數的堆疊也有利於製程良率的提升，對未來發展高密度、高品質的記憶體提供更具競爭力的方案。

其他入選的 3 篇技術論文，一篇是藉由電腦模擬的協助，降低 3D NAND 中相鄰 Wordline (WL) 的干擾問題；一篇則探討相變化記憶體所採用選擇器元件 (Selector) 的材料問題；另外篇則是探究 ReRAM 元件在高阻態 (High Resistance State) 的變化機制。

旺宏指出，自 2003 年起持續在 IEDM 發表論文，目前發表的論文數已超過 60 篇，近年來獲選的論文篇數常居台灣之冠，且幾乎每 2-3 年就有論文獲選為亮點論文，目前累積篇數已達 6 篇，2012 年更同時有兩篇研究成果入選為亮點論文；今年大會特別推薦的 16 篇亮點論文，所有投稿的台灣企業及學術研究機構中，僅有旺宏入選。